MRF6S19060NR1,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

MRF6S19060NR1 - 

FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4

  • 已过时的产品。
NXP USA Inc. MRF6S19060NR1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
MRF6S19060NR1
仓库库存编号:
MRF6S19060NR1-ND
描述:
FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
RF Mosfet LDMOS 28V 610mA 1.93GHz 16dB 12W TO-270 WB-4
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

MRF6S19060NR1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-270AB  
  制造商  NXP USA Inc.  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  频率  1.93GHz  
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-270 WB-4  
  电压 - 额定  68V  
  额定电流  -  
  晶体管类型  LDMOS  
  电流 - 测试  610mA  
  增益  16dB  
  噪声系数  -  
  电压 - 测试  28V  
  功率 - 输出  12W  
关键词         

产品资料
数据列表 MRF6S19060NR1,NBR1
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 23/Jan/2015
PCN 其它 MRF6S19060NR1 NRND Notice 18/Jan/2013
标准包装 500

MRF6S19060NR1相关搜索

封装/外壳 TO-270AB  NXP USA Inc. 封装/外壳 TO-270AB  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 TO-270AB  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 封装/外壳 TO-270AB   制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 制造商 NXP USA Inc.  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 制造商 NXP USA Inc.   系列 -  NXP USA Inc. 系列 -  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 系列 -   包装 带卷(TR)   NXP USA Inc. 包装 带卷(TR)   晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)   NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 包装 带卷(TR)    频率 1.93GHz  NXP USA Inc. 频率 1.93GHz  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1.93GHz  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 频率 1.93GHz   零件状态 过期  NXP USA Inc. 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-270 WB-4  NXP USA Inc. 供应商器件封装 TO-270 WB-4  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 TO-270 WB-4  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 供应商器件封装 TO-270 WB-4   电压 - 额定 68V  NXP USA Inc. 电压 - 额定 68V  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 68V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 额定 68V   额定电流 -  NXP USA Inc. 额定电流 -  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 额定电流 -   晶体管类型 LDMOS  NXP USA Inc. 晶体管类型 LDMOS  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 晶体管类型 LDMOS   电流 - 测试 610mA  NXP USA Inc. 电流 - 测试 610mA  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 610mA  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电流 - 测试 610mA   增益 16dB  NXP USA Inc. 增益 16dB  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 16dB  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 增益 16dB   噪声系数 -  NXP USA Inc. 噪声系数 -  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 噪声系数 -   电压 - 测试 28V  NXP USA Inc. 电压 - 测试 28V  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 28V  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 电压 - 测试 28V   功率 - 输出 12W  NXP USA Inc. 功率 - 输出 12W  晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 12W  NXP USA Inc. 晶体管 - FET,MOSFET - 射频 功率 - 输出 12W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号