BFU630F,115,NXP USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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BFU630F,115 - 

TRANSISTOR NPN SOT343F-4

NXP USA Inc. BFU630F,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BFU630F,115
仓库库存编号:
568-8453-1-ND
描述:
TRANSISTOR NPN SOT343F-4
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 5.5V 30mA 21GHz 200mW Surface Mount 4-DFP
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BFU630F,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-343F  
  制造商  NXP USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  4-DFP  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  90 @ 5mA,2V  
  频率 - 跃迁  21GHz  
  功率 - 最大值  200mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  30mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  5.5V  
  增益  13dB ~ 22.5dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  0.75dB ~ 1.3dB @ 1.5GHz ~ 5.8GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BFU630F
标准包装 1
其它名称 568-8453-1

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