PDTA123TU,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

PDTA123TU,115 - 

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323

  • 非库存货
Nexperia USA Inc. PDTA123TU,115
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
PDTA123TU,115
仓库库存编号:
PDTA123TU,115-ND
描述:
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount SOT-323-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

PDTA123TU,115产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70,SOT-323  
  制造商  Nexperia USA Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-323-3  
  晶体管类型  PNP - 预偏压  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  30 @ 20mA,5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  200mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  1μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  150mV @ 500μA,10mA  
  频率 - 跃迁  -  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  2.2k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  -  
关键词         

产品资料
数据列表 PDTA123T Series
标准包装 3,000
其它名称 934059937115
PDTA123TU T/R
PDTA123TU T/R-ND

PDTA123TU,115相关搜索

封装/外壳 SC-70,SOT-323  Nexperia USA Inc. 封装/外壳 SC-70,SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 封装/外壳 SC-70,SOT-323  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 封装/外壳 SC-70,SOT-323   制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 制造商 Nexperia USA Inc.  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 制造商 Nexperia USA Inc.   安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 安装类型 表面贴装  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Nexperia USA Inc. 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 系列 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 系列 -   包装 带卷(TR)   Nexperia USA Inc. 包装 带卷(TR)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 包装 带卷(TR)   Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 包装 带卷(TR)    零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 零件状态 在售  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-323-3  Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-323-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 供应商器件封装 SOT-323-3  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 供应商器件封装 SOT-323-3   晶体管类型 PNP - 预偏压  Nexperia USA Inc. 晶体管类型 PNP - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 晶体管类型 PNP - 预偏压   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V  Nexperia USA Inc. 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 30 @ 20mA,5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Nexperia USA Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 200mW  Nexperia USA Inc. Power - Max 200mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Power - Max 200mW  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Power - Max 200mW   电流 - 集电极截止(最大值) 1μA  Nexperia USA Inc. 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 1μA   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Nexperia USA Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA  Nexperia USA Inc. 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 150mV @ 500μA,10mA   频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 频率 - 跃迁 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 频率 - 跃迁 -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 频率 - 跃迁 -   电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k  Nexperia USA Inc. 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 2.2k   电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) -  Nexperia USA Inc. 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) -  Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) -  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号