BSP41,115,Nexperia USA Inc.,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单
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BSP41,115
BSP41,115 -
TRANS NPN 60V 1A SC73
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc.
制造商产品编号:
BSP41,115
仓库库存编号:
1727-5491-1-ND
描述:
TRANS NPN 60V 1A SC73
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 1A 100MHz 1.3W Surface Mount SOT-223
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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BSP41,115产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-261-4,TO-261AA
制造商
Nexperia USA Inc.
安装类型
表面贴装
工作温度
150°C(TJ)
系列
-
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
SOT-223
晶体管类型
NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
100 @ 100mA,5V
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
60V
Power - Max
1.3W
电流 - 集电极截止(最大值)
100nA(ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)
1A
不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)
500mV @ 50mA,500mA
频率 - 跃迁
100MHz
关键词
产品资料
数据列表
BSP41, BSP43
标准包装
1
其它名称
1727-5491-1
568-6963-1
568-6963-1-ND
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封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Nexperia USA Inc. 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 封装/外壳 TO-261-4,TO-261AA
制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 制造商 Nexperia USA Inc.
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 制造商 Nexperia USA Inc.
安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 安装类型 表面贴装
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 150°C(TJ)
Nexperia USA Inc. 工作温度 150°C(TJ)
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 工作温度 150°C(TJ)
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系列 -
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 系列 -
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包装 剪切带(CT)
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 包装 剪切带(CT)
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零件状态 在售
Nexperia USA Inc. 零件状态 在售
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 SOT-223
Nexperia USA Inc. 供应商器件封装 SOT-223
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 供应商器件封装 SOT-223
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晶体管类型 NPN
Nexperia USA Inc. 晶体管类型 NPN
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 晶体管类型 NPN
不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 100mA,5V
Nexperia USA Inc. 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 100mA,5V
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 100 @ 100mA,5V
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
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Power - Max 1.3W
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Power - Max 1.3W
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 500mV @ 50mA,500mA
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频率 - 跃迁 100MHz
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晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz
Nexperia USA Inc. 晶体管 - 双极 (BJT) - 单 频率 - 跃迁 100MHz
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