LN60A01ES-LF,Monolithic Power Systems Inc.,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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LN60A01ES-LF - 

MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC

  • 非库存货
Monolithic Power Systems Inc. LN60A01ES-LF
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
LN60A01ES-LF
仓库库存编号:
LN60A01ES-LF-ND
描述:
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
2(1 年)
详细描述:
Mosfet Array 3 N-Channel, Common Gate 600V 80mA 1.3W 8-SOIC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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LN60A01ES-LF产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Monolithic Power Systems Inc.  
  工作温度  -20°C ~ 125°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  190 欧姆 @ 10mA,10V  
  FET 类型  3 N 沟道,共栅  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  80mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  -  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.2V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  600V  
  功率 - 最大值  1.3W  
关键词         

产品资料
数据列表 LN60A01 Datasheet
RoHS指令信息 RoHS/Lead Free Policy
标准包装 100

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