SG2013J-883B,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

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分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列

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SG2013J-883B -

TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP

QPL 或军用规范仅供参考。非军用零件。未提供符合性证书。参见条款和条件。
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非库存货

Microsemi Corporation SG2013J-883B

声明：图片仅供参考，请以实物为准！

制造商：: Microsemi Corporation Microsemi Corporation
制造商产品编号：: SG2013J-883B
仓库库存编号：: 1259-1108-ND
描述：: TRANS 7NPN DARL 50V 0.6A 16JDIP
ROHS：: 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：: 1（无限）
详细描述：: Bipolar (BJT) Transistor Array 7 NPN Darlington 50V 600mA Through Hole 16-CDIP

订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

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SG2013J-883B产品属性

产品规格

封装/外壳	-
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	通孔
工作温度	150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	16-CDIP
晶体管类型	7 NPN 达林顿
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	900 @ 500mA，2V
电流 - 集电极截止（最大值）	-
不同?Ib，Ic 时的?Vce 饱和值（最大值）	1.9V @ 600μA，500mA
频率 - 跃迁	-
功率 - 最大值	-
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	600mA
电压 - 集射极击穿（最大值）	50V
关键词

产品资料

数据列表	SG2000
标准包装	100
其它名称	1259-1108 1259-1108-MIL

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Q Q：800152669
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