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JAN1N1190R - 

DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB

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Microsemi Corporation JAN1N1190R
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
JAN1N1190R
仓库库存编号:
1086-16246-ND
描述:
DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
标准型, 反极性 底座,接线柱安装 二极管 600V 35A DO-5
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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JAN1N1190R产品属性


产品规格
  封装/外壳  DO-203AB,DO-5,接线柱  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座,接线柱安装  
  系列  军用,MIL-PRF-19500/297  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DO-5  
  不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流  10μA @ 600V  
  电流 - 平均整流(Io)  35A  
  不同 If 时的电压 - 正向(Vf)  1.4V @ 110A  
  工作温度 - 结  -65°C ~ 175°C  
  二极管类型  标准型, 反极性  
  电压 - DC 反向(Vr)(最大值)  600V  
  不同?Vr,F 时的电容  -  
  速度  标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)  
关键词         

产品资料
数据列表 1N1184,86,88,90;1N3766,68(R)
标准包装 1
其它名称 1086-16246
1086-16246-MIL

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