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产品规格

封装/外壳	55SW
制造商	Microsemi Corporation
安装类型	底座安装
工作温度	200°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	55SW
晶体管类型	NPN
不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）	10 @ 5A，5V
频率 - 跃迁	1.03GHz
功率 - 最大值	3400W
电流 - 集电极（Ic）（最大值）	80A
电压 - 集射极击穿（最大值）	65V
增益	10dB ~ 10.5dB
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）	-
关键词

产品资料

数据列表	ITC1100
标准包装	1

封装/外壳 55SW  Microsemi Corporation 封装/外壳 55SW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 55SW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 55SW   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 底座安装   工作温度 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 200°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 200°C（TJ）   系列 -  Microsemi Corporation 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 55SW  Microsemi Corporation 供应商器件封装 55SW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 55SW  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 55SW   晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 5A，5V  Microsemi Corporation 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 5A，5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 5A，5V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 10 @ 5A，5V   频率 - 跃迁 1.03GHz  Microsemi Corporation 频率 - 跃迁 1.03GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.03GHz  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 1.03GHz   功率 - 最大值 3400W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 3400W  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 3400W  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 3400W   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80A  Microsemi Corporation 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80A  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80A  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 80A   电压 - 集射极击穿（最大值） 65V  Microsemi Corporation 电压 - 集射极击穿（最大值） 65V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 65V  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 65V   增益 10dB ~ 10.5dB  Microsemi Corporation 增益 10dB ~ 10.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB ~ 10.5dB  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 10dB ~ 10.5dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Microsemi Corporation 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -  Microsemi Corporation 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） -