APTGT200A120G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
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APTGT200A120G - 

POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6

Microsemi Corporation APTGT200A120G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APTGT200A120G
仓库库存编号:
APTGT200A120G-ND
描述:
POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module Trench Field Stop Half Bridge 1200V 280A 890W Chassis Mount SP6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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APTGT200A120G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP6  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP6  
  输入  标准  
  配置  半桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  890W  
  电流 - 集电极截止(最大值)  350μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  280A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.1V @ 15V,200A  
  NTC 热敏电阻  无  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  14nF @ 25V  
关键词         

产品资料
数据列表 APTGT200A120G
Power Products Catalog
标准包装 1
其它名称 APTGT200A120GMI
APTGT200A120GMI-ND

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