APTGFQ25H120T2G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
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APTGFQ25H120T2G - 

IGBT 1200V 40A 227W MODULE

  • 不推荐用于新设计,因为可能有最低订货量限制。 请参阅“替代封装”或“替代品”选项。
Microsemi Corporation APTGFQ25H120T2G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
APTGFQ25H120T2G
仓库库存编号:
APTGFQ25H120T2G-ND
描述:
IGBT 1200V 40A 227W MODULE
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module NPT and Fieldstop Full Bridge 1200V 40A 227W Through Hole SP2
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

APTGFQ25H120T2G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP2  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -  
  系列  -  
  零件状态  不可用于新设计  
  供应商器件封装  SP2  
  输入  标准  
  配置  全桥  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1200V  
  Power - Max  227W  
  电流 - 集电极截止(最大值)  250μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  40A  
  IGBT 类型  NPT 型和场截止型  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  2.1V @ 15V,25A  
  NTC 热敏电阻  是  
  不同?Vce 时的输入电容(Cies)  2.02nF @ 25V  
关键词         

产品资料
标准包装 1

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