APTGF100DA120T1G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
专业代理销售st(意法)全系列产品
关于我们
|
联系我们
库存查询
ST产品选型
产品
制造商
联系我们
美国1号分类选型
新加坡2号分类选型
英国10号分类选型
英国2号分类选型
日本5号分类选型
在本站结果里搜索:
热门搜索词:
电容器
Vicor
MXP7205VW
STM32F103C8T6
1379658-1
UVX
美国1号仓库
>
分立半导体产品
>
晶体管 - IGBT - 模块
>
APTGF100DA120T1G
APTGF100DA120T1G -
IGBT 1200V 130A 735W SP1
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APTGF100DA120T1G
仓库库存编号:
APTGF100DA120T1G-ND
描述:
IGBT 1200V 130A 735W SP1
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Module NPT Single 1200V 130A 735W Chassis Mount SP1
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
APTGF100DA120T1G产品属性
产品规格
封装/外壳
SP1
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
底座安装
工作温度
-
系列
-
零件状态
过期
供应商器件封装
SP1
输入
标准
配置
单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
Power - Max
735W
电流 - 集电极截止(最大值)
250μA
Current - Collector (Ic) (Max)
130A
IGBT 类型
NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)
3.7V @ 15V,100A
NTC 热敏电阻
是
不同?Vce 时的输入电容(Cies)
6.5nF @ 25V
关键词
产品资料
标准包装
1
APTGF100DA120T1G相关搜索
封装/外壳 SP1
Microsemi Corporation 封装/外壳 SP1
晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SP1
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SP1
制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation
晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 Microsemi Corporation
安装类型 底座安装
Microsemi Corporation 安装类型 底座安装
晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装
工作温度 -
Microsemi Corporation 工作温度 -
晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -
系列 -
Microsemi Corporation 系列 -
晶体管 - IGBT - 模块 系列 -
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 系列 -
零件状态 过期
Microsemi Corporation 零件状态 过期
晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 过期
供应商器件封装 SP1
Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP1
晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP1
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SP1
输入 标准
Microsemi Corporation 输入 标准
晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准
配置 单一
Microsemi Corporation 配置 单一
晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Microsemi Corporation Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Power - Max 735W
Microsemi Corporation Power - Max 735W
晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 735W
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 735W
电流 - 集电极截止(最大值) 250μA
Microsemi Corporation 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA
晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止(最大值) 250μA
Current - Collector (Ic) (Max) 130A
Microsemi Corporation Current - Collector (Ic) (Max) 130A
晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 130A
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 130A
IGBT 类型 NPT
Microsemi Corporation IGBT 类型 NPT
晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 NPT
不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,100A
Microsemi Corporation 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,100A
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,100A
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3.7V @ 15V,100A
NTC 热敏电阻 是
Microsemi Corporation NTC 热敏电阻 是
晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 是
不同?Vce 时的输入电容(Cies) 6.5nF @ 25V
Microsemi Corporation 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 6.5nF @ 25V
晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 6.5nF @ 25V
Microsemi Corporation 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容(Cies) 6.5nF @ 25V
邮箱:
sales@szcwdz.com
Q Q:
800152669
手机网站:
m.szcwdz.com
美国1号品牌选型
新加坡2号品牌选型
英国2号品牌选型
英国10号品牌选型
日本5号品牌选型
st(意法)简介
|
st产品
|
st动态
|
产品应用
|
st选型手册
Copyright © 2017
www.st-ic.com
All Rights Reserved. 技术支持:
电子元器件
ICP备案证书号:
粤ICP备11103613号