APTC60AM45BC1G,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

APTC60AM45BC1G - 

MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1

  • 当零件存货耗尽后，该零件将成为非库存货；此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
  • 非库存货
Microsemi Corporation APTC60AM45BC1G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
APTC60AM45BC1G
仓库库存编号：
APTC60AM45BC1G-ND
描述：
MOSFET 3N-CH 600V 49A SP1
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
Mosfet Array 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper) 600V 49A 250W Chassis Mount SP1
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

APTC60AM45BC1G产品属性


产品规格
  封装/外壳  SP1  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  CoolMOS??  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SP1  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  150nC @ 10V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  45 毫欧 @ 24.5A，10V  
  FET 类型  3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  49A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  7200pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  3.9V @ 3mA  
  漏源电压（Vdss）  600V  
  功率 - 最大值  250W  
关键词         

产品资料
数据列表 APTC60AM45BC1G
标准包装 1

APTC60AM45BC1G相关搜索

封装/外壳 SP1  Microsemi Corporation 封装/外壳 SP1  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SP1  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 SP1   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 安装类型 底座安装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 底座安装   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 CoolMOS??  Microsemi Corporation 系列 CoolMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 CoolMOS??  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 CoolMOS??   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 SP1  Microsemi Corporation 供应商器件封装 SP1  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP1  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 SP1   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V  Microsemi Corporation 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 150nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 24.5A，10V  Microsemi Corporation 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 24.5A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 24.5A，10V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 45 毫欧 @ 24.5A，10V   FET 类型 3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）  Microsemi Corporation FET 类型 3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 3 N 沟道（相角 + 升压斩波电路）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 49A  Microsemi Corporation 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 49A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 49A  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 49A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7200pF @ 25V   FET 功能 标准  Microsemi Corporation FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 3mA  Microsemi Corporation 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 3mA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 3mA  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 3mA   漏源电压（Vdss） 600V  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） 600V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 600V  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 600V   功率 - 最大值 250W  Microsemi Corporation 功率 - 最大值 250W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 250W  Microsemi Corporation 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 250W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号