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APT34N80LC3G
APT34N80LC3G -
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Microsemi Corporation
Microsemi Corporation
制造商产品编号:
APT34N80LC3G
仓库库存编号:
APT34N80LC3G-ND
描述:
MOSFET N-CH 800V 34A TO-264
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 800V 34A(Tc) 417W(Tc) TO-264 [L]
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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APT34N80LC3G产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-264-3,TO-264AA
制造商
Microsemi Corporation
安装类型
通孔
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-264 [L]
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
355nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
145 毫欧 @ 22A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
34A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
4510pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
3.9V @ 2mA
功率耗散(最大值)
417W(Tc)
漏源电压(Vdss)
800V
关键词
产品资料
数据列表
APT34N80(B2,L)C3
Power Products Catalog
标准包装
25
其它名称
APT34N80LC3GMI
APT34N80LC3GMI-ND
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制造商 Microsemi Corporation
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安装类型 通孔
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