2N4091UB,Microsemi Corporation,分立半导体产品,晶体管 - JFET
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

2N4091UB - 

JFET N-CHAN 40V 3SMD

  • QPL or Military Specs are for reference only. Parts are not for military use. See Terms and Conditions.
  • 非库存货
Microsemi Corporation 2N4091UB
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
2N4091UB
仓库库存编号：
2N4091UB-ND
描述：
JFET N-CHAN 40V 3SMD
ROHS：
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
JFET N-Channel 40V 360mW Surface Mount 3-UB (3.09x2.45)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

2N4091UB产品属性


产品规格
  封装/外壳  3-SMD，无引线  
  制造商  Microsemi Corporation  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -65°C ~ 175°C（TJ）  
  系列  军用，MIL-PRF-19500/431  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  3-UB（3.09x2.45）  
  FET 类型  N 沟道  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  16pF @ 20V  
  漏源电压（Vdss）  40V  
  Power - Max  360mW  
  不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）  30mA @ 20V  
  不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）  -  
  电压 - 击穿（V（BR）GSS）  40V  
  电阻 - RDS（开）  30 欧姆  
关键词         

产品资料
标准包装 1

2N4091UB相关搜索

封装/外壳 3-SMD，无引线  Microsemi Corporation 封装/外壳 3-SMD，无引线  晶体管 - JFET 封装/外壳 3-SMD，无引线  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 封装/外壳 3-SMD，无引线   制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 制造商 Microsemi Corporation  晶体管 - JFET 制造商 Microsemi Corporation  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 制造商 Microsemi Corporation   安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 安装类型 表面贴装  晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 安装类型 表面贴装   工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  Microsemi Corporation 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 工作温度 -65°C ~ 175°C（TJ）   系列 军用，MIL-PRF-19500/431  Microsemi Corporation 系列 军用，MIL-PRF-19500/431  晶体管 - JFET 系列 军用，MIL-PRF-19500/431  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 系列 军用，MIL-PRF-19500/431   包装 散装   Microsemi Corporation 包装 散装   晶体管 - JFET 包装 散装   Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 包装 散装    零件状态 在售  Microsemi Corporation 零件状态 在售  晶体管 - JFET 零件状态 在售  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 零件状态 在售   供应商器件封装 3-UB（3.09x2.45）  Microsemi Corporation 供应商器件封装 3-UB（3.09x2.45）  晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-UB（3.09x2.45）  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 供应商器件封装 3-UB（3.09x2.45）   FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation FET 类型 N 沟道  晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET FET 类型 N 沟道   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 16pF @ 20V  Microsemi Corporation 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 16pF @ 20V  晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 16pF @ 20V  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 16pF @ 20V   漏源电压（Vdss） 40V  Microsemi Corporation 漏源电压（Vdss） 40V  晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 40V  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 漏源电压（Vdss） 40V   Power - Max 360mW  Microsemi Corporation Power - Max 360mW  晶体管 - JFET Power - Max 360mW  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET Power - Max 360mW   不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 30mA @ 20V  Microsemi Corporation 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 30mA @ 20V  晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 30mA @ 20V  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss） 30mA @ 20V   不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -  Microsemi Corporation 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -  晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关） -   电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  Microsemi Corporation 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 电压 - 击穿（V（BR）GSS） 40V   电阻 - RDS（开） 30 欧姆  Microsemi Corporation 电阻 - RDS（开） 30 欧姆  晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 30 欧姆  Microsemi Corporation 晶体管 - JFET 电阻 - RDS（开） 30 欧姆  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号