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VP2206N2 - 

MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39

Microchip Technology VP2206N2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
VP2206N2
仓库库存编号:
VP2206N2-ND
描述:
MOSFET P-CH 60V 750MA 3TO-39
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 P 沟道 750mA(Tj) 360mW(Tc) TO-39
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

VP2206N2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-205AD,TO-39-3 金属罐  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  散装   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-39  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  900 毫欧 @ 3.5A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  5V,10V  
  FET 类型  P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  750mA(Tj)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  450pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.5V @ 10mA  
  功率耗散(最大值)  360mW(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  60V  
关键词         

产品资料
数据列表 VP2206
设计资源 VP2206 Development Tool Selector
PCN 组件/产地 3L TO-39 Qualification Assembly Site Update 22/Aug/2014
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Fab Site Addition 14/Aug/2014
PCN 封装 Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装 500

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