TC6320TG-G,Microchip Technology,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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TC6320TG-G - 

MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC

Microchip Technology TC6320TG-G
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
TC6320TG-G
仓库库存编号:
TC6320TG-GCT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 200V Surface Mount 8-SOIC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

TC6320TG-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-SOIC  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  -  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  7 欧姆 @ 1A,10V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  -  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  110pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  2V @ 1mA  
  漏源电压(Vdss)  200V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 TC6320
设计资源 TC6320 Development Tool Selector
PCN 组件/产地 Qualification Supertex Devices 22/Jul/2014
Additional Fabrication Site 03/Sep/2014
Assembly Site Addition 17/Feb/2015
Fab Site Addition 14/Aug/2014
Assembly Site Addition 08/Apr/2015
Assembly Site Addition 08/Apr/2015
标准包装 1
其它名称 TC6320TG-GCT

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