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DN2625DK6-G - 

MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN

Microchip Technology DN2625DK6-G
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
DN2625DK6-G
仓库库存编号：
DN2625DK6-G-ND
描述：
MOSFET 2N-CH 250V 1.1A 8VDFN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
3（168 小时）
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 250V 1.1A Surface Mount 8-DFN (5x5)
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

DN2625DK6-G产品属性


产品规格
  封装/外壳  8-VDFN 裸露焊盘  
  制造商  Microchip Technology  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  托盘   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  8-DFN（5x5）  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  7.04nC @ 1.5V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  3.5 欧姆 @ 1A，0V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  1.1A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  1000pF @ 25V  
  FET 功能  耗尽模式  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  -  
  漏源电压（Vdss）  250V  
  功率 - 最大值  -  
关键词         

产品资料
数据列表 DN2625
设计资源 DN2625 Development Tool Selector
PCN 组件/产地 Fab Site Addition 14/Aug/2014
Fab Site Revision 07/Apr/2015
PCN 封装 Label and Packing Changes 23/Sep/2015
标准包装 490

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