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NGD8201BNT4G - 

IGBT 400V 20A 125W DPAK-3

  • 非库存货
Littelfuse Inc. NGD8201BNT4G
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制造商产品编号:
NGD8201BNT4G
仓库库存编号:
NGD8201BNT4G-ND
描述:
IGBT 400V 20A 125W DPAK-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Surface Mount DPAK
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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NGD8201BNT4G产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  
  制造商  Littelfuse Inc.  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  DPAK  
  输入类型  逻辑  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  430V  
  Power - Max  115W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  15A  
  测试条件  300V,6.5A,1 千欧  
  开关能量  -  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  50A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  1.8V @ 4.5V,10A  
  25°C 时 Td(开/关)值  -/4μs  
关键词         

产品资料
数据列表 NGD8201B-LF
标准包装 2,500

NGD8201BNT4G相关搜索

封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  Littelfuse Inc. 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63   制造商 Littelfuse Inc.  Littelfuse Inc. 制造商 Littelfuse Inc.  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Littelfuse Inc.  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Littelfuse Inc.   安装类型 表面贴装  Littelfuse Inc. 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Littelfuse Inc. 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 -  Littelfuse Inc. 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 带卷(TR)   Littelfuse Inc. 包装 带卷(TR)   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)   Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)    零件状态 在售  Littelfuse Inc. 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 DPAK  Littelfuse Inc. 供应商器件封装 DPAK  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 DPAK   输入类型 逻辑  Littelfuse Inc. 输入类型 逻辑  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 逻辑   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  Littelfuse Inc. Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 430V   Power - Max 115W  Littelfuse Inc. Power - Max 115W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 115W  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 115W   Current - Collector (Ic) (Max) 15A  Littelfuse Inc. Current - Collector (Ic) (Max) 15A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 15A   测试条件 300V,6.5A,1 千欧  Littelfuse Inc. 测试条件 300V,6.5A,1 千欧  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,6.5A,1 千欧  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 300V,6.5A,1 千欧   开关能量 -  Littelfuse Inc. 开关能量 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  Littelfuse Inc. Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 50A   IGBT 类型 -  Littelfuse Inc. IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 4.5V,10A  Littelfuse Inc. 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 4.5V,10A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 4.5V,10A  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 4.5V,10A   25°C 时 Td(开/关)值 -/4μs  Littelfuse Inc. 25°C 时 Td(开/关)值 -/4μs  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/4μs  Littelfuse Inc. 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -/4μs  
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