IXTT20P50P,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXTT20P50P
IXTT20P50P -
MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXTT20P50P
仓库库存编号:
IXTT20P50P-ND
描述:
MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) TO-268
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IXTT20P50P产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
制造商
IXYS
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
PolarP??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-268
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
103nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
450 毫欧 @ 10A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
20A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
5120pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250μA
功率耗散(最大值)
460W(Tc)
漏源电压(Vdss)
500V
关键词
产品资料
数据列表
IXT(H,T)20P50P
标准包装
30
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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型号:
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570-1026-ND
别名:570-1026
MS3520010
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别名:5-146130-6-ND
51461306
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型号:
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IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 500V
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