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IXTT16N20D2 - 

MOSFET N-CH 200V 16A TO-268

IXYS IXTT16N20D2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXTT16N20D2
仓库库存编号:
IXTT16N20D2-ND
描述:
MOSFET N-CH 200V 16A TO-268
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 16A(Tc) 695W(Tc) TO-268
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXTT16N20D2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA  
  制造商  IXYS  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-268  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  208nC @ 5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  73 毫欧 @ 8A,0V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  -  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  16A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  5500pF @ 25V  
  FET 功能  耗尽模式  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  -  
  功率耗散(最大值)  695W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  200V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXT(H,T)16N20D2
标准包装 30

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