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产品规格

封装/外壳	ISOPLUSi5-Pak?
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	TrenchMV??
包装	管件
零件状态	过期
供应商器件封装	ISOPLUSi5-Pak?
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	170nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	4.4 毫欧 @ 50A，10V
FET 类型	2 个 N 沟道（双）
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	140A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	7600pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	4V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	55V
功率 - 最大值	150W
关键词

产品资料

数据列表	IXTL2X240N055T
PCN 过时产品/ EOL	IXT Series 30/Oct/2012
标准包装	25

封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 TrenchMV??  IXYS 系列 TrenchMV??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchMV??  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 TrenchMV??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 170nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 50A，10V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 50A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 50A，10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 4.4 毫欧 @ 50A，10V   FET 类型 2 个 N 沟道（双）  IXYS FET 类型 2 个 N 沟道（双）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道（双）   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 140A  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 140A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 140A  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 140A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7600pF @ 25V   FET 功能 标准  IXYS FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 55V  IXYS 漏源电压（Vdss） 55V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 55V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 55V   功率 - 最大值 150W  IXYS 功率 - 最大值 150W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150W  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150W