IXTL2X220N075T,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXTL2X220N075T - 

MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK

  • 已过时的产品。
IXYS IXTL2X220N075T
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXTL2X220N075T
仓库库存编号:
IXTL2X220N075T-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 75V 120A I5-PAK
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 120A 150W Through Hole ISOPLUSi5-Pak?
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXTL2X220N075T产品属性


产品规格
  封装/外壳  ISOPLUSi5-Pak?  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  TrenchMV??  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  ISOPLUSi5-Pak?  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  165nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  5.5 毫欧 @ 50A,10V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  120A  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  7700pF @ 25V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  漏源电压(Vdss)  75V  
  功率 - 最大值  150W  
关键词         

产品资料
数据列表 IXTL2X220N075T
PCN 过时产品/ EOL IXT Series 30/Oct/2012
标准包装 25

IXTL2X220N075T相关搜索

封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  IXYS 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)   系列 TrenchMV??  IXYS 系列 TrenchMV??  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 TrenchMV??  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 系列 TrenchMV??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?   不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 165nC @ 10V   不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V  IXYS 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 5.5 毫欧 @ 50A,10V   FET 类型 2 个 N 沟道(双)  IXYS FET 类型 2 个 N 沟道(双)  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 类型 2 个 N 沟道(双)   电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A  IXYS 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 120A   不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7700pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7700pF @ 25V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7700pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7700pF @ 25V   FET 功能 标准  IXYS FET 功能 标准  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA   漏源电压(Vdss) 75V  IXYS 漏源电压(Vdss) 75V  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 75V  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 漏源电压(Vdss) 75V   功率 - 最大值 150W  IXYS 功率 - 最大值 150W  晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150W  IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 150W  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号