IXGX100N170,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXGX100N170 - 

IGBT 1700V 170A 830W PLUS247

  • 非库存货
IXYS IXGX100N170
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXGX100N170
仓库库存编号:
IXGX100N170-ND
描述:
IGBT 1700V 170A 830W PLUS247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT NPT 1700V 170A 830W Through Hole PLUS247?-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXGX100N170产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PLUS247?-3  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1700V  
  Power - Max  830W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  170A  
  测试条件  -  
  开关能量  -  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  600A  
  IGBT 类型  NPT  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  3V @ 15V,100A  
  25°C 时 Td(开/关)值  -  
  栅极电荷  425nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IXGN100N170
标准包装 30

IXGX100N170相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  IXYS 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PLUS247?-3  IXYS 供应商器件封装 PLUS247?-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PLUS247?-3   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V   Power - Max 830W  IXYS Power - Max 830W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 830W  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 830W   Current - Collector (Ic) (Max) 170A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 170A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 170A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 170A   测试条件 -  IXYS 测试条件 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 -  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 -   开关能量 -  IXYS 开关能量 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 -   Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 600A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 600A   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,100A  IXYS 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,100A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,100A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 3V @ 15V,100A   25°C 时 Td(开/关)值 -  IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 -   栅极电荷 425nC  IXYS 栅极电荷 425nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 425nC  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 425nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号