IXGT30N60B,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXGT30N60B - 

IGBT 600V 60A 200W TO268

  • 已过时的产品。
IXYS IXGT30N60B
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXGT30N60B
仓库库存编号:
IXGT30N60B-ND
描述:
IGBT 600V 60A 200W TO268
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT 600V 60A 200W Surface Mount TO-268
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXGT30N60B产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA  
  制造商  IXYS  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HiPerFAST??  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  TO-268  
  输入类型  标准  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  200W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  60A  
  测试条件  480V,30A,4.7 欧姆,15V  
  开关能量  1.3mJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  120A  
  IGBT 类型  -  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  1.8V @ 15V,30A  
  25°C 时 Td(开/关)值  25ns/130ns  
  栅极电荷  125nC  
关键词         

产品资料
数据列表 IXG(H,T)30N60B
PCN 过时产品/ EOL IGBT’s 600V Legacy 08/May/2013
标准包装 30

IXGT30N60B相关搜索

封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA  IXYS 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)   系列 HiPerFAST??  IXYS 系列 HiPerFAST??  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 HiPerFAST??  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 HiPerFAST??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 过期  IXYS 零件状态 过期  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 过期   供应商器件封装 TO-268  IXYS 供应商器件封装 TO-268  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-268   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 200W  IXYS Power - Max 200W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 200W  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 200W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 480V,30A,4.7 欧姆,15V  IXYS 测试条件 480V,30A,4.7 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 480V,30A,4.7 欧姆,15V  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 480V,30A,4.7 欧姆,15V   开关能量 1.3mJ(关)  IXYS 开关能量 1.3mJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.3mJ(关)  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 1.3mJ(关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A   IGBT 类型 -  IXYS IGBT 类型 -  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 -   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,30A  IXYS 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,30A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,30A  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,30A   25°C 时 Td(开/关)值 25ns/130ns  IXYS 25°C 时 Td(开/关)值 25ns/130ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 25ns/130ns  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 25ns/130ns   栅极电荷 125nC  IXYS 栅极电荷 125nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 125nC  IXYS 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 125nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号