IXGN320N60A3,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - IGBT - 模块
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IXGN320N60A3 - 

IGBT 600V SOT-227B

IXYS IXGN320N60A3
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商：
IXYS IXYS
制造商产品编号：
IXGN320N60A3
仓库库存编号：
IXGN320N60A3-ND
描述：
IGBT 600V SOT-227B
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Module PT Single 600V 320A 735W Chassis Mount SOT-227B
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

IXGN320N60A3产品属性


产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4，miniBLOC  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  GenX3??  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-227B  
  输入  标准  
  配置  单一  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  600V  
  Power - Max  735W  
  电流 - 集电极截止（最大值）  150μA  
  Current - Collector (Ic) (Max)  320A  
  IGBT 类型  PT  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  1.25V @ 15V，100A  
  NTC 热敏电阻  无  
  不同?Vce 时的输入电容（Cies）  18nF @ 25V  
关键词         

产品资料
数据列表 GenX3 600V IGBTs Overview
IXGN320N60A3
标准包装 10

IXGN320N60A3您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

IXGN320N60A3相关搜索

封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  IXYS 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 封装/外壳 SOT-227-4，miniBLOC   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 制造商 IXYS   安装类型 底座安装  IXYS 安装类型 底座安装  晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 安装类型 底座安装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 GenX3??  IXYS 系列 GenX3??  晶体管 - IGBT - 模块 系列 GenX3??  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 系列 GenX3??   零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-227B  IXYS 供应商器件封装 SOT-227B  晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227B  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 供应商器件封装 SOT-227B   输入 标准  IXYS 输入 标准  晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 输入 标准   配置 单一  IXYS 配置 单一  晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 配置 单一   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 735W  IXYS Power - Max 735W  晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 735W  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Power - Max 735W   电流 - 集电极截止（最大值） 150μA  IXYS 电流 - 集电极截止（最大值） 150μA  晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 150μA  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 电流 - 集电极截止（最大值） 150μA   Current - Collector (Ic) (Max) 320A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 320A  晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 320A  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 Current - Collector (Ic) (Max) 320A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 15V，100A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 15V，100A  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 15V，100A  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.25V @ 15V，100A   NTC 热敏电阻 无  IXYS NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） 18nF @ 25V  IXYS 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 18nF @ 25V  晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 18nF @ 25V  IXYS 晶体管 - IGBT - 模块 不同?Vce 时的输入电容（Cies） 18nF @ 25V  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号