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产品规格

封装/外壳	TO-247-3
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	散装
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-247AD（IXGH）
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1700V
Power - Max	350W
Current - Collector (Ic) (Max)	32A
测试条件	850V，32A，2.7 欧姆，15V
开关能量	1.5mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	110A
IGBT 类型	NPT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	5V @ 15V，21A
25°C 时 Td（开/关）值	46ns/260ns
栅极电荷	155nC
关键词

产品资料

数据列表	IXG(H,T)32N170A
标准包装	30
其它名称	Q1566877

封装/外壳 TO-247-3  IXYS 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 散装   IXYS 包装 散装   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 散装    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-247AD（IXGH）  IXYS 供应商器件封装 TO-247AD（IXGH）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD（IXGH）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-247AD（IXGH）   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V   Power - Max 350W  IXYS Power - Max 350W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 350W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 350W   Current - Collector (Ic) (Max) 32A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 32A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 32A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 32A   测试条件 850V，32A，2.7 欧姆，15V  IXYS 测试条件 850V，32A，2.7 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 850V，32A，2.7 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 850V，32A，2.7 欧姆，15V   开关能量 1.5mJ（关）  IXYS 开关能量 1.5mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.5mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 1.5mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 110A  IXYS Current - Collector Pulsed (Icm) 110A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 110A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 110A   IGBT 类型 NPT  IXYS IGBT 类型 NPT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 15V，21A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 15V，21A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 15V，21A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 5V @ 15V，21A   25°C 时 Td（开/关）值 46ns/260ns  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 46ns/260ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 46ns/260ns  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 46ns/260ns   栅极电荷 155nC  IXYS 栅极电荷 155nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 155nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 155nC