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IXFV22N60P - 

MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220

  • 已过时的产品。
IXYS IXFV22N60P
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXFV22N60P
仓库库存编号:
IXFV22N60P-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 600V 22A(Tc) 400W(Tc) PLUS220
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IXFV22N60P产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-220-3(SMT)标片  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HiPerFET?,PolarHT?  
  包装  管件   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PLUS220  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  58nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  350 毫欧 @ 11A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  22A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  3600pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5.5V @ 4mA  
  功率耗散(最大值)  400W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXFH22N60P, IXFV22N60P/PS
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 16/Dec/2013
标准包装 50

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