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IXFH80N65X2 - 

MOSFET N-CH 650V 80A TO-247

IXYS IXFH80N65X2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS IXYS
制造商产品编号:
IXFH80N65X2
仓库库存编号:
IXFH80N65X2-ND
描述:
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IXFH80N65X2产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HiPerFET??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  143nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  40 毫欧 @ 40A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  80A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  8245pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5.5V @ 4mA  
  功率耗散(最大值)  890W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  650V  
关键词         

产品资料
数据列表 IXFx80N65X2 Preliminary
标准包装 30
其它名称 632463

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