IXFA8N85XHV,IXYS,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 单
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IXFA8N85XHV
IXFA8N85XHV -
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IXYS
IXYS
制造商产品编号:
IXFA8N85XHV
仓库库存编号:
IXFA8N85XHV-ND
描述:
MOSFET N-CH 850V 8A TO263HV
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 8A(Tc) 200W(Tc) TO-263HV
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IXFA8N85XHV产品属性
产品规格
封装/外壳
TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
制造商
IXYS
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HiPerFET??
包装
管件
零件状态
在售
供应商器件封装
TO-263HV
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
17nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
850 毫欧 @ 4A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8A(Tc)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
654pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
5.5V @ 250μA
功率耗散(最大值)
200W(Tc)
漏源电压(Vdss)
850V
关键词
产品资料
数据列表
IXFA8N85XHV, IXFP,Q8N85X
标准包装
50
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
TE Connectivity AMP Connectors
070 MLC TAB CON 20-16
详细描述:Tab Contact Tin 16-20 AWG Crimp
型号:
173645-2
仓库库存编号:
A122178CT-ND
别名:A122178CT
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制造商 IXYS
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安装类型 表面贴装
IXYS 安装类型 表面贴装
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工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 HiPerFET??
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包装 管件
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零件状态 在售
IXYS 零件状态 在售
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 在售
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供应商器件封装 TO-263HV
IXYS 供应商器件封装 TO-263HV
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技术 MOSFET(金属氧化物)
IXYS 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
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Vgs(最大值) ±30V
IXYS Vgs(最大值) ±30V
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不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V
IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V
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IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 17nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 850 毫欧 @ 4A,10V
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 654pF @ 25V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250μA
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250μA
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 5.5V @ 250μA
功率耗散(最大值) 200W(Tc)
IXYS 功率耗散(最大值) 200W(Tc)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 200W(Tc)
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 功率耗散(最大值) 200W(Tc)
漏源电压(Vdss) 850V
IXYS 漏源电压(Vdss) 850V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 850V
IXYS 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 850V
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