关于我们 | 联系我们

库存查询

• 非库存货

产品规格

封装/外壳	ISOPLUS247?
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-40°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOPLUS247?
输入类型	标准
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	290W
Current - Collector (Ic) (Max)	84A
测试条件	600V，50A，15 欧姆，15V
开关能量	4.5mJ（开），5.5mJ（关）
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.1V @ 15V，50A
25°C 时 Td（开/关）值	-
栅极电荷	190nC
关键词

产品资料

数据列表	IXA55I1200HJ
标准包装	30

封装/外壳 ISOPLUS247?  IXYS 封装/外壳 ISOPLUS247?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUS247?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 ISOPLUS247?   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS247?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS247?  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS247?  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 ISOPLUS247?   输入类型 标准  IXYS 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 290W  IXYS Power - Max 290W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 290W  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 290W   Current - Collector (Ic) (Max) 84A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 84A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 84A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 84A   测试条件 600V，50A，15 欧姆，15V  IXYS 测试条件 600V，50A，15 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，50A，15 欧姆，15V  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，50A，15 欧姆，15V   开关能量 4.5mJ（开），5.5mJ（关）  IXYS 开关能量 4.5mJ（开），5.5mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 4.5mJ（开），5.5mJ（关）  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 4.5mJ（开），5.5mJ（关）   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，50A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，50A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，50A  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.1V @ 15V，50A   25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 25°C 时 Td（开/关）值 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 -   栅极电荷 190nC  IXYS 栅极电荷 190nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 190nC  IXYS 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 190nC