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产品规格

封装/外壳	9-SMD 模块
制造商	IXYS
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOPLUS-SMPD?.B
输入	标准
配置	半桥
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Power - Max	150W
电流 - 集电极截止（最大值）	2.1mA
Current - Collector (Ic) (Max)	43A
IGBT 类型	PT
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.2V @ 15V，25A
NTC 热敏电阻	无
不同?Vce 时的输入电容（Cies）	-
关键词

产品资料

数据列表	IXA30PG1200DHGLB
标准包装	45

封装/外壳 9-SMD 模块  IXYS 封装/外壳 9-SMD 模块  晶体管 - IGBT - 阵列 封装/外壳 9-SMD 模块  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 封装/外壳 9-SMD 模块   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - IGBT - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 表面贴装  IXYS 安装类型 表面贴装  晶体管 - IGBT - 阵列 安装类型 表面贴装  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - IGBT - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  IXYS 系列 -  晶体管 - IGBT - 阵列 系列 -  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 系列 -   零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - IGBT - 阵列 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS-SMPD?.B  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS-SMPD?.B  晶体管 - IGBT - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS-SMPD?.B  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS-SMPD?.B   输入 标准  IXYS 输入 标准  晶体管 - IGBT - 阵列 输入 标准  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 输入 标准   配置 半桥  IXYS 配置 半桥  晶体管 - IGBT - 阵列 配置 半桥  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 配置 半桥   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  晶体管 - IGBT - 阵列 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V   Power - Max 150W  IXYS Power - Max 150W  晶体管 - IGBT - 阵列 Power - Max 150W  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 Power - Max 150W   电流 - 集电极截止（最大值） 2.1mA  IXYS 电流 - 集电极截止（最大值） 2.1mA  晶体管 - IGBT - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 2.1mA  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 电流 - 集电极截止（最大值） 2.1mA   Current - Collector (Ic) (Max) 43A  IXYS Current - Collector (Ic) (Max) 43A  晶体管 - IGBT - 阵列 Current - Collector (Ic) (Max) 43A  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 Current - Collector (Ic) (Max) 43A   IGBT 类型 PT  IXYS IGBT 类型 PT  晶体管 - IGBT - 阵列 IGBT 类型 PT  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 IGBT 类型 PT   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A  IXYS 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A  晶体管 - IGBT - 阵列 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.2V @ 15V，25A   NTC 热敏电阻 无  IXYS NTC 热敏电阻 无  晶体管 - IGBT - 阵列 NTC 热敏电阻 无  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 NTC 热敏电阻 无   不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  IXYS 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  晶体管 - IGBT - 阵列 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -  IXYS 晶体管 - IGBT - 阵列 不同?Vce 时的输入电容（Cies） -