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产品规格

封装/外壳	i4-Pac?-5
制造商	IXYS
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	Polar??
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	ISOPLUS i4-PAC?
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	70nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	40 毫欧 @ 31A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	36A，22A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	2250pF @ 25V
FET 功能	标准
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	5.5V @ 250μA
漏源电压（Vdss）	150V
功率 - 最大值	125W
关键词

产品资料

数据列表	FMP36-015P
标准包装	25

封装/外壳 i4-Pac?-5  IXYS 封装/外壳 i4-Pac?-5  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 i4-Pac?-5  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 i4-Pac?-5   制造商 IXYS  IXYS 制造商 IXYS  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 IXYS   安装类型 通孔  IXYS 安装类型 通孔  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 Polar??  IXYS 系列 Polar??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 Polar??  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 Polar??   包装 管件   IXYS 包装 管件   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件   IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 管件    零件状态 在售  IXYS 零件状态 在售  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 在售   供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 ISOPLUS i4-PAC?   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V  IXYS 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 70nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 31A，10V  IXYS 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 31A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 31A，10V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 40 毫欧 @ 31A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  IXYS FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A，22A  IXYS 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A，22A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A，22A  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 36A，22A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2250pF @ 25V  IXYS 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2250pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2250pF @ 25V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2250pF @ 25V   FET 功能 标准  IXYS FET 功能 标准  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 标准   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA  IXYS 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5.5V @ 250μA   漏源电压（Vdss） 150V  IXYS 漏源电压（Vdss） 150V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 150V  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 150V   功率 - 最大值 125W  IXYS 功率 - 最大值 125W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 125W  IXYS 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 125W