HFA3102B96,Intersil,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
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HFA3102B96 - 

IC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC

  • 已过时的产品。
Intersil HFA3102B96
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
HFA3102B96
仓库库存编号:
HFA3102B96-ND
描述:
IC TRANS ARRAY DUAL NPN 14-SOIC
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor 6 NPN 12V 30mA 10GHz 250mW Surface Mount 14-SOIC
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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HFA3102B96产品属性


产品规格
  封装/外壳  14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  
  制造商  Intersil  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  14-SOIC  
  晶体管类型  6 NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  40 @ 10mA,3V  
  频率 - 跃迁  10GHz  
  功率 - 最大值  250mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  30mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  12V  
  增益  12.4dB ~ 17.5dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 HFA3102
标准包装 2,500

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封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  Intersil 封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽)   制造商 Intersil  Intersil 制造商 Intersil  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Intersil  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Intersil   安装类型 表面贴装  Intersil 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Intersil 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Intersil 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 带卷(TR)   Intersil 包装 带卷(TR)   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷(TR)   Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Intersil 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 过期   供应商器件封装 14-SOIC  Intersil 供应商器件封装 14-SOIC  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 14-SOIC  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 14-SOIC   晶体管类型 6 NPN  Intersil 晶体管类型 6 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 6 NPN  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 6 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 10mA,3V  Intersil 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 10mA,3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 10mA,3V  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 40 @ 10mA,3V   频率 - 跃迁 10GHz  Intersil 频率 - 跃迁 10GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 10GHz   功率 - 最大值 250mW  Intersil 功率 - 最大值 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 250mW  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 250mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA  Intersil 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  Intersil 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 12V   增益 12.4dB ~ 17.5dB  Intersil 增益 12.4dB ~ 17.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12.4dB ~ 17.5dB  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 12.4dB ~ 17.5dB   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  Intersil 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  Intersil 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1.8dB ~ 2.1dB @ 500MHz ~ 1GHz  
电话:400-900-3095
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