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IRF7853TRPBF
IRF7853TRPBF -
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRF7853TRPBF
仓库库存编号:
IRF7853TRPBFCT-ND
描述:
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-SOIC
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 8.3A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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IRF7853TRPBF产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
剪切带(CT)
零件状态
在售
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
39nC @ 10V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
18 毫欧 @ 8.3A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
FET 类型
N 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
8.3A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
1640pF @ 25V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
4.9V @ 100μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
100V
关键词
产品资料
数据列表
IRF7853PbF
标准包装
1
其它名称
IRF7853TRPBFCT
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制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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操作
Infineon Technologies
MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 38A(Tc) 3.1W(Ta),170W(Tc) D2PAK
型号:
IRF5210STRLPBF
仓库库存编号:
IRF5210STRLPBFCT-ND
别名:IRF5210STRLPBFCT
无铅
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 100V 8.8A DPAK
详细描述:表面贴装 P 沟道 8.8A(Tc) 2.5W(Ta),32.1W(Tc) TO-252,(D-Pak)
型号:
SUD09P10-195-GE3
仓库库存编号:
SUD09P10-195-GE3CT-ND
别名:SUD09P10-195-GE3CT
无铅
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安装类型 表面贴装
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 100V
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