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IRF7425TR
IRF7425TR -
MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
已过时的产品。
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
Infineon Technologies
Infineon Technologies
制造商产品编号:
IRF7425TR
仓库库存编号:
IRF7425TR-ND
描述:
MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 P 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!
IRF7425TR产品属性
产品规格
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
制造商
Infineon Technologies
安装类型
表面贴装
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
系列
HEXFET?
包装
带卷(TR)
零件状态
过期
供应商器件封装
8-SO
技术
MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值)
±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)
130nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)
8.2 毫欧 @ 15A,4.5V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V
FET 类型
P 沟道
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
15A(Ta)
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
7980pF @ 15V
FET 功能
-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250μA
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta)
漏源电压(Vdss)
20V
关键词
产品资料
数据列表
IRF7425
设计资源
IRF7425 Saber Model
IRF7425 Spice Model
标准包装
4,000
IRF7425TRROHS替代
参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
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制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies
晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies
安装类型 表面贴装
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Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 安装类型 表面贴装
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
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系列 HEXFET?
Infineon Technologies 系列 HEXFET?
晶体管 - FET,MOSFET - 单 系列 HEXFET?
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包装 带卷(TR)
Infineon Technologies 包装 带卷(TR)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 包装 带卷(TR)
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零件状态 过期
Infineon Technologies 零件状态 过期
晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 零件状态 过期
供应商器件封装 8-SO
Infineon Technologies 供应商器件封装 8-SO
晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SO
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 供应商器件封装 8-SO
技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 技术 MOSFET(金属氧化物)
晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 技术 MOSFET(金属氧化物)
Vgs(最大值) ±12V
Infineon Technologies Vgs(最大值) ±12V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 Vgs(最大值) ±12V
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V
Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 130nC @ 4.5V
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.2 毫欧 @ 15A,4.5V
Infineon Technologies 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.2 毫欧 @ 15A,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 8.2 毫欧 @ 15A,4.5V
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驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
Infineon Technologies 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 2.5V,4.5V
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FET 类型 P 沟道
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电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 15A(Ta)
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不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7980pF @ 15V
Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7980pF @ 15V
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 7980pF @ 15V
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FET 功能 -
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不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
Infineon Technologies 晶体管 - FET,MOSFET - 单 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 1.2V @ 250μA
功率耗散(最大值) 2.5W(Ta)
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漏源电压(Vdss) 20V
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晶体管 - FET,MOSFET - 单 漏源电压(Vdss) 20V
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