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IPB60R099C6 - 

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263

Infineon Technologies IPB60R099C6
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IPB60R099C6
仓库库存编号:
IPB60R099C6CT-ND
描述:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO263
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
表面贴装 N 沟道 37.9A(Tc) 278W(Tc) PG-TO263-2
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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IPB60R099C6产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  CoolMOS??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO263-2  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  119nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  99 毫欧 @ 18.1A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  37.9A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  2660pF @ 100V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  3.5V @ 1.21mA  
  功率耗散(最大值)  278W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料
数据列表 IPx60R099C6
标准包装 1
其它名称 IPB60R099C6CT

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