IKW30N65WR5XKSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

IKW30N65WR5XKSA1 - 

IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3

Infineon Technologies IKW30N65WR5XKSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
IKW30N65WR5XKSA1
仓库库存编号:
IKW30N65WR5XKSA1-ND
描述:
IGBT 650V 30A UFAST DIO TO247-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
IGBT Trench 650V 60A 185W Through Hole PG-TO247-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

IKW30N65WR5XKSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -40°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  TrenchStop?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-TO247-3  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间(trr)  95ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  650V  
  Power - Max  185W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  60A  
  测试条件  400V,15A,26 欧姆,15V  
  开关能量  990μJ(开),330μJ(关)  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  90A  
  IGBT 类型  沟道  
  不同?Vge,Ic 时的?Vce(on)  1.8V @ 15V,30A  
  25°C 时 Td(开/关)值  39ns/367ns  
  栅极电荷  155nC  
关键词         

产品资料
标准包装 240
其它名称 SP001273472

IKW30N65WR5XKSA1相关搜索

封装/外壳 TO-247-3  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-247-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 封装/外壳 TO-247-3   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 工作温度 -40°C ~ 175°C(TJ)   系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 系列 TrenchStop?  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop?  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 系列 TrenchStop?   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 PG-TO247-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO247-3  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 供应商器件封装 PG-TO247-3   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间(trr) 95ns  Infineon Technologies 反向恢复时间(trr) 95ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 95ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 反向恢复时间(trr) 95ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V   Power - Max 185W  Infineon Technologies Power - Max 185W  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 185W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Power - Max 185W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 400V,15A,26 欧姆,15V  Infineon Technologies 测试条件 400V,15A,26 欧姆,15V  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,15A,26 欧姆,15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 测试条件 400V,15A,26 欧姆,15V   开关能量 990μJ(开),330μJ(关)  Infineon Technologies 开关能量 990μJ(开),330μJ(关)  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 990μJ(开),330μJ(关)  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 开关能量 990μJ(开),330μJ(关)   Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 90A   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,30A  Infineon Technologies 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,30A  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,30A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 不同?Vge,Ic 时的?Vce(on) 1.8V @ 15V,30A   25°C 时 Td(开/关)值 39ns/367ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td(开/关)值 39ns/367ns  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 39ns/367ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 25°C 时 Td(开/关)值 39ns/367ns   栅极电荷 155nC  Infineon Technologies 栅极电荷 155nC  晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 155nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT,MOSFET - 单 栅极电荷 155nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号