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产品规格

封装/外壳	TO-263-6，D2Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	表面贴装
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	OptiMOS??
包装	带卷（TR）
零件状态	过期
供应商器件封装	PG-TO263-5
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	121nC @ 10V
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	11.7 毫欧 @ 20A，10V
FET 类型	N 和 P 沟道
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	40A
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	6100pF @ 25V
FET 功能	逻辑电平门
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2.2V @ 40μA
漏源电压（Vdss）	55V，30V
功率 - 最大值	69W，96W
关键词

产品资料

数据列表	BTS7904B
标准包装	1,000
其它名称	BTS7904B BTS7904B-ND SP000415554

封装/外壳 TO-263-6，D2Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-263-6，D2Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 TO-263-6，D2Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 TO-263-6，D2Pak（5 引线 + 接片），TO-263BA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 表面贴装   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 系列 OptiMOS??  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 OptiMOS??  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 OptiMOS??   包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 包装 带卷（TR）   晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）   Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 带卷（TR）    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-TO263-5  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-TO263-5  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TO263-5  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 PG-TO263-5   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V  Infineon Technologies 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 121nC @ 10V   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.7 毫欧 @ 20A，10V  Infineon Technologies 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.7 毫欧 @ 20A，10V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.7 毫欧 @ 20A，10V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 11.7 毫欧 @ 20A，10V   FET 类型 N 和 P 沟道  Infineon Technologies FET 类型 N 和 P 沟道  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 N 和 P 沟道   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A  Infineon Technologies 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 40A   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V  Infineon Technologies 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 6100pF @ 25V   FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies FET 功能 逻辑电平门  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 逻辑电平门   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 40μA  Infineon Technologies 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 40μA  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 40μA  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 40μA   漏源电压（Vdss） 55V，30V  Infineon Technologies 漏源电压（Vdss） 55V，30V  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 55V，30V  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） 55V，30V   功率 - 最大值 69W，96W  Infineon Technologies 功率 - 最大值 69W，96W  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 69W，96W  Infineon Technologies 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 69W，96W