BSD235N L6327,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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BSD235N L6327 - 

MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies BSD235N L6327
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSD235N L6327
仓库库存编号:
BSD235N L6327INCT-ND
描述:
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 950mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSD235N L6327产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-SOT363-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  0.32nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  350 毫欧 @ 950mA,4.5V  
  FET 类型  2 个 N 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  950mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  63pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.2V @ 1.6μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  500mW  
关键词         

产品资料
数据列表 BSD235N
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 30/Nov/2011
标准包装 1
其它名称 BSD235N L6327INCT
BSD235NL6327

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