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BSD235CH6327XTSA1 - 

MOSFET N/P-CH 20V SOT363

Infineon Technologies BSD235CH6327XTSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSD235CH6327XTSA1
仓库库存编号:
BSD235CH6327XTSA1CT-ND
描述:
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 950mA, 530mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BSD235CH6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  PG-SOT363-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  0.34nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  350 毫欧 @ 950mA,4.5V  
  FET 类型  N 和 P 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  950mA,530mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  47pF @ 10V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.2V @ 1.6μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  500mW  
关键词         

产品资料
数据列表 BSD235C
标准包装 1
其它名称 BSD235C H6327CT
BSD235C H6327CT-ND
BSD235CH6327XTSA1CT

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