BSD223P L6327,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - FET,MOSFET - 阵列
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BSD223P L6327 - 

MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies BSD223P L6327
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BSD223P L6327
仓库库存编号:
BSD223P L6327-ND
描述:
MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 390mA 250mW Surface Mount PG-SOT363-6
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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BSD223P L6327产品属性


产品规格
  封装/外壳  6-VSSOP,SC-88,SOT-363  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  OptiMOS??  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-SOT363-6  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  0.62nC @ 4.5V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  1.2 欧姆 @ 390mA,4.5V  
  FET 类型  2 个 P 沟道(双)  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  390mA  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  56pF @ 15V  
  FET 功能  逻辑电平门  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  1.2V @ 1.5μA  
  漏源电压(Vdss)  20V  
  功率 - 最大值  250mW  
关键词         

产品资料
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 30/Nov/2011
标准包装 3,000
其它名称 SP000245417

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