BFP760H6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BFP760H6327XTSA1 - 

TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343

Infineon Technologies BFP760H6327XTSA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
BFP760H6327XTSA1
仓库库存编号：
BFP760H6327XTSA1CT-ND
描述：
TRANSISTOR RF NPN AMP SOT-343
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
RF Transistor NPN 4V 70mA 45GHz 240mW Surface Mount SOT-343
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

BFP760H6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-82A，SOT-343  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  剪切带（CT）   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-343  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）  160 @ 35mA，3V  
  频率 - 跃迁  45GHz  
  功率 - 最大值  240mW  
  电流 - 集电极（Ic）（最大值）  70mA  
  电压 - 集射极击穿（最大值）  4V  
  增益  16.5dB ~ 29dB  
  噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）  0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz  
关键词         

产品资料
数据列表 BFP760
标准包装 1
其它名称 BFP760H6327XTSA1CT

BFP760H6327XTSA1您可能还对以下元器件感兴趣

  • 参考图片
  • 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
  • PDF
  • 操作

BFP760H6327XTSA1相关搜索

封装/外壳 SC-82A，SOT-343  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-82A，SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A，SOT-343  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A，SOT-343   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 150°C（TJ）  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 包装 剪切带（CT）   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带（CT）    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-343  Infineon Technologies 供应商器件封装 SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-343  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-343   晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 35mA，3V  Infineon Technologies 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 35mA，3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 35mA，3V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic，Vce?时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 160 @ 35mA，3V   频率 - 跃迁 45GHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 45GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 45GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 45GHz   功率 - 最大值 240mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 240mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 240mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 240mW   电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极（Ic）（最大值） 70mA   电压 - 集射极击穿（最大值） 4V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿（最大值） 4V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 4V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿（最大值） 4V   增益 16.5dB ~ 29dB  Infineon Technologies 增益 16.5dB ~ 29dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 16.5dB ~ 29dB  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 16.5dB ~ 29dB   噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz  Infineon Technologies 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） 0.5dB ~ 0.95dB @ 900MHz ~ 5.5GHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号