BFP720ESDH6327XTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BFP720ESDH6327XTSA1 - 

TRANS RF NPN 43GHZ 4.7V SOT343

Infineon Technologies BFP720ESDH6327XTSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BFP720ESDH6327XTSA1
仓库库存编号:
BFP720ESDH6327XTSA1CT-ND
描述:
TRANS RF NPN 43GHZ 4.7V SOT343
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
RF Transistor NPN 4.7V 30mA 43GHz 100mW Surface Mount SOT-343
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BFP720ESDH6327XTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-82A,SOT-343  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  剪切带(CT)   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-343  
  晶体管类型  NPN  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  160 @ 15mA,3V  
  频率 - 跃迁  43GHz  
  功率 - 最大值  100mW  
  电流 - 集电极(Ic)(最大值)  30mA  
  电压 - 集射极击穿(最大值)  4.7V  
  增益  11dB ~ 30.5dB  
  噪声系数(dB,不同 f 时的典型值)  0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz  
关键词         

产品资料
标准包装 1
其它名称 BFP 720ESD H6327CT
BFP 720ESD H6327CT-ND
BFP720ESDH6327XTSA1CT

BFP720ESDH6327XTSA1相关搜索

封装/外壳 SC-82A,SOT-343  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-82A,SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A,SOT-343  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 封装/外壳 SC-82A,SOT-343   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 安装类型 表面贴装   工作温度 150°C(TJ)  Infineon Technologies 工作温度 150°C(TJ)  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 工作温度 150°C(TJ)   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 系列 -   包装 剪切带(CT)   Infineon Technologies 包装 剪切带(CT)   晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 包装 剪切带(CT)    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 零件状态 在售   供应商器件封装 SOT-343  Infineon Technologies 供应商器件封装 SOT-343  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-343  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 供应商器件封装 SOT-343   晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管类型 NPN  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 晶体管类型 NPN   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 15mA,3V  Infineon Technologies 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 15mA,3V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 15mA,3V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 160 @ 15mA,3V   频率 - 跃迁 43GHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 43GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 43GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 频率 - 跃迁 43GHz   功率 - 最大值 100mW  Infineon Technologies 功率 - 最大值 100mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 100mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 功率 - 最大值 100mW   电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA  Infineon Technologies 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电流 - 集电极(Ic)(最大值) 30mA   电压 - 集射极击穿(最大值) 4.7V  Infineon Technologies 电压 - 集射极击穿(最大值) 4.7V  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 4.7V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 电压 - 集射极击穿(最大值) 4.7V   增益 11dB ~ 30.5dB  Infineon Technologies 增益 11dB ~ 30.5dB  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11dB ~ 30.5dB  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 增益 11dB ~ 30.5dB   噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz  Infineon Technologies 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 0.55dB ~ 1.55dB @ 150MHz ~ 10GHz  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号