BCR112WE6327BTSA1,Infineon Technologies,分立半导体产品,晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置
st代理商
专业代理销售st(意法)全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索:    
热门搜索词:电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

BCR112WE6327BTSA1 - 

TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3

  • 已过时的产品。
Infineon Technologies BCR112WE6327BTSA1
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商产品编号:
BCR112WE6327BTSA1
仓库库存编号:
BCR112WE6327BTSA1TR-ND
描述:
TRANS PREBIAS NPN 250MW SOT323-3
ROHS:
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
1(无限)
详细描述:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 140MHz 250mW Surface Mount PG-SOT323-3
订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大,部分产品信息可能未能及时更新,下单前请与销售人员确认好实时在库数量,谢谢合作!

BCR112WE6327BTSA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  SC-70,SOT-323  
  制造商  Infineon Technologies  
  安装类型  表面贴装  
  系列  -  
  包装  带卷(TR)   
  零件状态  过期  
  供应商器件封装  PG-SOT323-3  
  晶体管类型  NPN - 预偏压  
  不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)  20 @ 5mA,5V  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  50V  
  Power - Max  250mW  
  电流 - 集电极截止(最大值)  100nA(ICBO)  
  Current - Collector (Ic) (Max)  100mA  
  不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值)  300mV @ 500μA,10mA  
  频率 - 跃迁  140MHz  
  电阻器 - 基底(R1)(欧姆)  4.7k  
  电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆)  4.7k  
关键词         

产品资料
数据列表 BCR112
PCN 过时产品/ EOL Multiple Devices 01/Mar/2011
标准包装 3,000
其它名称 BCR 112W E6327
BCR 112W E6327-ND
BCR112WE6327
BCR112WE6327XT
SP000010748

BCR112WE6327BTSA1相关搜索

封装/外壳 SC-70,SOT-323  Infineon Technologies 封装/外壳 SC-70,SOT-323  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 封装/外壳 SC-70,SOT-323  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 封装/外壳 SC-70,SOT-323   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 制造商 Infineon Technologies   安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 安装类型 表面贴装  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 安装类型 表面贴装  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 安装类型 表面贴装   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 系列 -   包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 包装 带卷(TR)   晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 包装 带卷(TR)   Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 包装 带卷(TR)    零件状态 过期  Infineon Technologies 零件状态 过期  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 零件状态 过期  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 零件状态 过期   供应商器件封装 PG-SOT323-3  Infineon Technologies 供应商器件封装 PG-SOT323-3  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 供应商器件封装 PG-SOT323-3  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 供应商器件封装 PG-SOT323-3   晶体管类型 NPN - 预偏压  Infineon Technologies 晶体管类型 NPN - 预偏压  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 晶体管类型 NPN - 预偏压   不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V  Infineon Technologies 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ic,Vce?时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 20 @ 5mA,5V   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V   Power - Max 250mW  Infineon Technologies Power - Max 250mW  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Power - Max 250mW  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Power - Max 250mW   电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Infineon Technologies 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电流 - 集电极截止(最大值) 100nA(ICBO)   Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 Current - Collector (Ic) (Max) 100mA   不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  Infineon Technologies 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 不同?Ib,Ic 时的?Vce 饱和值(最大值) 300mV @ 500μA,10mA   频率 - 跃迁 140MHz  Infineon Technologies 频率 - 跃迁 140MHz  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 频率 - 跃迁 140MHz  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 频率 - 跃迁 140MHz   电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k  Infineon Technologies 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 基底(R1)(欧姆) 4.7k   电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k  Infineon Technologies 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k  晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k  Infineon Technologies 晶体管 - 双极 (BJT) - 单,预偏置 电阻器 - 发射极基底(R2)(欧姆) 4.7k  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st(意法)简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持:电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号