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产品规格

封装/外壳	TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
制造商	Infineon Technologies
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-262
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	102ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600V
Power - Max	246W
Current - Collector (Ic) (Max)	59A
测试条件	400V，24A，10 欧姆，15V
开关能量	532μJ（开），311μJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	72A
IGBT 类型	沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	1.77V @ 15V，24A
25°C 时 Td（开/关）值	19ns/90ns
栅极电荷	77nC
关键词

产品资料

数据列表	AUIRGB/S/SL4062D1
标准包装	500
其它名称	SP001511874

封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  Infineon Technologies 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA   制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 制造商 Infineon Technologies  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Infineon Technologies   安装类型 通孔  Infineon Technologies 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）   系列 -  Infineon Technologies 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Infineon Technologies 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Infineon Technologies 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-262  Infineon Technologies 供应商器件封装 TO-262  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-262  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-262   输入类型 标准  Infineon Technologies 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 102ns  Infineon Technologies 反向恢复时间（trr） 102ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 102ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 102ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V   Power - Max 246W  Infineon Technologies Power - Max 246W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 246W  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 246W   Current - Collector (Ic) (Max) 59A  Infineon Technologies Current - Collector (Ic) (Max) 59A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 59A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 59A   测试条件 400V，24A，10 欧姆，15V  Infineon Technologies 测试条件 400V，24A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，24A，10 欧姆，15V  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 400V，24A，10 欧姆，15V   开关能量 532μJ（开），311μJ（关）  Infineon Technologies 开关能量 532μJ（开），311μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 532μJ（开），311μJ（关）  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 532μJ（开），311μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 72A  Infineon Technologies Current - Collector Pulsed (Icm) 72A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 72A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 72A   IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies IGBT 类型 沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.77V @ 15V，24A  Infineon Technologies 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.77V @ 15V，24A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.77V @ 15V，24A  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 1.77V @ 15V，24A   25°C 时 Td（开/关）值 19ns/90ns  Infineon Technologies 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/90ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/90ns  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 19ns/90ns   栅极电荷 77nC  Infineon Technologies 栅极电荷 77nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 77nC  Infineon Technologies 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 77nC