FF11MR12W1M1B11BOMA1,Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas,分立半导体产品,晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
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FF11MR12W1M1B11BOMA1 - 

MOSFET MODULE HALF 1200V 100A

  • 新产品 
Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas FF11MR12W1M1B11BOMA1
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
FF11MR12W1M1B11BOMA1
仓库库存编号：
FF11MR12W1M1B11BOMA1-ND
描述：
MOSFET MODULE HALF 1200V 100A
ROHS：
含铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
详细描述：
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 1200V (1.2kV) 100A 20mW Chassis Mount Module
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

FF11MR12W1M1B11BOMA1产品属性


产品规格
  封装/外壳  模块  
  制造商  Infineon Technologies Industrial Power and Controls Americas  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -40°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  CoolSiC?  
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  模块  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）  250nC @ 15V  
  不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）  11 毫欧 @ 100A，15V  
  FET 类型  2 个 N 沟道（双）  
  电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）  100A  
  不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）  7950pF @ 800V  
  FET 功能  标准  
  不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）  5.55V @ 40mA  
  漏源电压（Vdss）  1200V（1.2kV）  
  功率 - 最大值  20mW  
关键词         

产品资料
数据列表 FF11MR12W1M1_B11
CoolSiC? MOSFET Brief
标准包装 24
其它名称 SP001602204

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