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70V06L25PFI8
70V06L25PFI8 -
IC SRAM 128KBIT 25NS 64TQFP
非库存货
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商:
IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT, Integrated Device Technology Inc
制造商产品编号:
70V06L25PFI8
仓库库存编号:
70V06L25PFI8-ND
描述:
IC SRAM 128KBIT 25NS 64TQFP
ROHS:
含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):
3(168 小时)
详细描述:
SRAM - 双端口,异步 存储器 IC 128Kb (16K x 8) 并联 25ns 64-TQFP(14x14)
订购热线:
400-900-3095 0755-21000796, QQ:
800152669
, Email:
sales@szcwdz.com
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70V06L25PFI8产品属性
产品规格
封装/外壳
64-LQFP
制造商
IDT, Integrated Device Technology Inc
安装类型
表面贴装
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)
系列
-
包装
带卷(TR)
零件状态
在售
电压 - 电源
3 V ~ 3.6 V
供应商器件封装
64-TQFP(14x14)
存储容量
128Kb (16K x 8)
技术
SRAM - 双端口,异步
存储器类型
易失
访问时间
25ns
写周期时间 - 字,页
25ns
存储器格式
SRAM
存储器接口
并联
关键词
产品资料
标准包装
750
其它名称
IDT70V06L25PFI8
IDT70V06L25PFI8-ND
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制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT, Integrated Device Technology Inc 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 制造商 IDT, Integrated Device Technology Inc
安装类型 表面贴装
IDT, Integrated Device Technology Inc 安装类型 表面贴装
存储器 安装类型 表面贴装
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 安装类型 表面贴装
工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
IDT, Integrated Device Technology Inc 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 工作温度 -40°C ~ 85°C(TA)
系列 -
IDT, Integrated Device Technology Inc 系列 -
存储器 系列 -
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包装 带卷(TR)
IDT, Integrated Device Technology Inc 包装 带卷(TR)
存储器 包装 带卷(TR)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 包装 带卷(TR)
零件状态 在售
IDT, Integrated Device Technology Inc 零件状态 在售
存储器 零件状态 在售
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 零件状态 在售
电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
IDT, Integrated Device Technology Inc 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
存储器 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 电压 - 电源 3 V ~ 3.6 V
供应商器件封装 64-TQFP(14x14)
IDT, Integrated Device Technology Inc 供应商器件封装 64-TQFP(14x14)
存储器 供应商器件封装 64-TQFP(14x14)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 供应商器件封装 64-TQFP(14x14)
存储容量 128Kb (16K x 8)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储容量 128Kb (16K x 8)
存储器 存储容量 128Kb (16K x 8)
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储容量 128Kb (16K x 8)
技术 SRAM - 双端口,异步
IDT, Integrated Device Technology Inc 技术 SRAM - 双端口,异步
存储器 技术 SRAM - 双端口,异步
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 技术 SRAM - 双端口,异步
存储器类型 易失
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器类型 易失
存储器 存储器类型 易失
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器类型 易失
访问时间 25ns
IDT, Integrated Device Technology Inc 访问时间 25ns
存储器 访问时间 25ns
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 访问时间 25ns
写周期时间 - 字,页 25ns
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存储器 写周期时间 - 字,页 25ns
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存储器格式 SRAM
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器格式 SRAM
存储器 存储器格式 SRAM
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器 存储器格式 SRAM
存储器接口 并联
IDT, Integrated Device Technology Inc 存储器接口 并联
存储器 存储器接口 并联
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