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产品规格

封装/外壳	TO-264-3，TO-264AA
制造商	Global Power Technologies Group
安装类型	通孔
工作温度	-55°C ~ 150°C（TJ）
系列	-
包装	管件
零件状态	在售
供应商器件封装	TO-264
输入类型	标准
反向恢复时间（trr）	465ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1000V
Power - Max	463W
Current - Collector (Ic) (Max)	60A
测试条件	600V，60A，50 欧姆，15V
开关能量	13.1mJ（开），6.3mJ（关）
Current - Collector Pulsed (Icm)	120A
IGBT 类型	NPT 和沟道
不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）	2.9V @ 15V，60A
25°C 时 Td（开/关）值	230ns/1480ns
栅极电荷	405nC
关键词

产品资料

数据列表	GPA042A100L-ND
标准包装	25
其它名称	1560-1225-1 1560-1225-1-ND

封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Global Power Technologies Group 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA   制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group   安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Global Power Technologies Group 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Global Power Technologies Group 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Global Power Technologies Group 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-264  Global Power Technologies Group 供应商器件封装 TO-264  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-264   输入类型 标准  Global Power Technologies Group 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 465ns  Global Power Technologies Group 反向恢复时间（trr） 465ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 465ns  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 465ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  Global Power Technologies Group Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V   Power - Max 463W  Global Power Technologies Group Power - Max 463W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 463W  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 463W   Current - Collector (Ic) (Max) 60A  Global Power Technologies Group Current - Collector (Ic) (Max) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 60A   测试条件 600V，60A，50 欧姆，15V  Global Power Technologies Group 测试条件 600V，60A，50 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，60A，50 欧姆，15V  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，60A，50 欧姆，15V   开关能量 13.1mJ（开），6.3mJ（关）  Global Power Technologies Group 开关能量 13.1mJ（开），6.3mJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 13.1mJ（开），6.3mJ（关）  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 13.1mJ（开），6.3mJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  Global Power Technologies Group Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 120A   IGBT 类型 NPT 和沟道  Global Power Technologies Group IGBT 类型 NPT 和沟道  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT 和沟道  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 NPT 和沟道   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，60A  Global Power Technologies Group 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，60A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.9V @ 15V，60A   25°C 时 Td（开/关）值 230ns/1480ns  Global Power Technologies Group 25°C 时 Td（开/关）值 230ns/1480ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 230ns/1480ns  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 230ns/1480ns   栅极电荷 405nC  Global Power Technologies Group 栅极电荷 405nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 405nC  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 405nC