GPA020A135MN-FD,Global Power Technologies Group,分立半导体产品,晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
st代理商
专业代理销售st（意法）全系列产品
库存查询
在本站结果里搜索：    
热门搜索词：电容器   Vicor   MXP7205VW   STM32F103C8T6   1379658-1   UVX  

GPA020A135MN-FD - 

IGBT 1350V 40A 223W TO3PN

  • 当零件存货耗尽后，该零件将成为非库存货；此时将采用最低订购量方法。 订购数量应为可供数量或者可供数量加上最低订购数量的倍数。
  • 非库存货
Global Power Technologies Group GPA020A135MN-FD
声明：图片仅供参考，请以实物为准！
制造商产品编号：
GPA020A135MN-FD
仓库库存编号：
1560-1217-5-ND
描述：
IGBT 1350V 40A 223W TO3PN
ROHS：
无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL）：
1（无限）
详细描述：
IGBT Trench Field Stop 1350V 40A 223W Through Hole TO-3P
订购热线： 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

GPA020A135MN-FD产品属性


产品规格
  封装/外壳  TO-3  
  制造商  Global Power Technologies Group  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C（TJ）  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-3P  
  输入类型  标准  
  反向恢复时间（trr）  425ns  
  Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  1350V  
  Power - Max  223W  
  Current - Collector (Ic) (Max)  40A  
  测试条件  600V，20A，10 欧姆，15V  
  开关能量  2.5mJ（开），760μJ（关）  
  Current - Collector Pulsed (Icm)  60A  
  IGBT 类型  沟槽型场截止  
  不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）  2.3V @ 15V，20A  
  25°C 时 Td（开/关）值  25ns/175ns  
  栅极电荷  180nC  
关键词         

产品资料
数据列表 GPA020A135MN-FD
标准包装 1
其它名称 1560-1217-1
1560-1217-1-ND

GPA020A135MN-FD相关搜索

封装/外壳 TO-3  Global Power Technologies Group 封装/外壳 TO-3  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 封装/外壳 TO-3   制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 制造商 Global Power Technologies Group  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 制造商 Global Power Technologies Group   安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 安装类型 通孔  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 安装类型 通孔   工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）   系列 -  Global Power Technologies Group 系列 -  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 系列 -   包装 管件   Global Power Technologies Group 包装 管件   晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件   Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 包装 管件    零件状态 在售  Global Power Technologies Group 零件状态 在售  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 零件状态 在售   供应商器件封装 TO-3P  Global Power Technologies Group 供应商器件封装 TO-3P  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 供应商器件封装 TO-3P   输入类型 标准  Global Power Technologies Group 输入类型 标准  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 输入类型 标准   反向恢复时间（trr） 425ns  Global Power Technologies Group 反向恢复时间（trr） 425ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 425ns  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 反向恢复时间（trr） 425ns   Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V  Global Power Technologies Group Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1350V   Power - Max 223W  Global Power Technologies Group Power - Max 223W  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 223W  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Power - Max 223W   Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Global Power Technologies Group Current - Collector (Ic) (Max) 40A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector (Ic) (Max) 40A   测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V  Global Power Technologies Group 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 测试条件 600V，20A，10 欧姆，15V   开关能量 2.5mJ（开），760μJ（关）  Global Power Technologies Group 开关能量 2.5mJ（开），760μJ（关）  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.5mJ（开），760μJ（关）  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 开关能量 2.5mJ（开），760μJ（关）   Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Global Power Technologies Group Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 Current - Collector Pulsed (Icm) 60A   IGBT 类型 沟槽型场截止  Global Power Technologies Group IGBT 类型 沟槽型场截止  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 IGBT 类型 沟槽型场截止   不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，20A  Global Power Technologies Group 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，20A  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，20A  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 不同?Vge，Ic 时的?Vce（on） 2.3V @ 15V，20A   25°C 时 Td（开/关）值 25ns/175ns  Global Power Technologies Group 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/175ns  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/175ns  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 25°C 时 Td（开/关）值 25ns/175ns   栅极电荷 180nC  Global Power Technologies Group 栅极电荷 180nC  晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 180nC  Global Power Technologies Group 晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 栅极电荷 180nC  
电话:400-900-3095
QQ:800152669
st（意法）简介  |  st产品  |   st动态  |  产品应用  |  st选型手册
Copyright © 2017 www.st-ic.com All Rights Reserved. 技术支持：电子元器件 ICP备案证书号:粤ICP备11103613号