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产品规格

封装/外壳	-
制造商	GeneSiC Semiconductor
安装类型	-
工作温度	-
系列	-
包装	-
零件状态	过期
供应商器件封装	-
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）	-
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	-
FET 类型	-
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	-
FET 功能	-
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	-
漏源电压（Vdss）	-
功率 - 最大值	-
关键词

产品资料

标准包装	10
其它名称	1242-1197 GA100SCPL12227E

封装/外壳 -  GeneSiC Semiconductor 封装/外壳 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 封装/外壳 -   制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 制造商 GeneSiC Semiconductor  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 GeneSiC Semiconductor  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 制造商 GeneSiC Semiconductor   安装类型 -  GeneSiC Semiconductor 安装类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 安装类型 -   工作温度 -  GeneSiC Semiconductor 工作温度 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 工作温度 -   系列 -  GeneSiC Semiconductor 系列 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 系列 -   包装 -  GeneSiC Semiconductor 包装 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 包装 -   零件状态 过期  GeneSiC Semiconductor 零件状态 过期  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 零件状态 过期   供应商器件封装 -  GeneSiC Semiconductor 供应商器件封装 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 供应商器件封装 -   不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） -   不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） -   FET 类型 -  GeneSiC Semiconductor FET 类型 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 类型 -   电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  GeneSiC Semiconductor 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） -   不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） -   FET 功能 -  GeneSiC Semiconductor FET 功能 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 FET 功能 -   不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -   漏源电压（Vdss） -  GeneSiC Semiconductor 漏源电压（Vdss） -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 漏源电压（Vdss） -   功率 - 最大值 -  GeneSiC Semiconductor 功率 - 最大值 -  晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -  GeneSiC Semiconductor 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 功率 - 最大值 -